买卖IC网 >> 产品目录 >> FS150R12KE3 IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

FS150R12KE3

库存数量：30
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 1.7 V
在25 C的连续集电极电流 205 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 700 W
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 EconoPACK
封装
相关资料
属性
链接
代理商 FS150R12KE3
FS150R12KE3G
FS150R12KT3
FS150R12KT4
FS150R12KT4_B11
FS150R12PT4
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北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
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上海航霆电子技术有限公司 0755-83742594 林生18701789587
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深圳市众芯微电子有限公司 0755-83208010 陈小姐
  • FS150R12KE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 439.212 439.212
    10 405.928 4059.28